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      東莞記憶研發(fā)總部-2號研發(fā)樓/3號地下室項目之幕墻安裝工程

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      • 項目介紹
      • 工程概況
      Project description
      項目介紹
      記憶科技集團成立于1997年,在深圳、蘇州、北京、成都、上海、東莞設有六大研發(fā)中心,在東莞、惠州、鄭州設有三座現代化制造基地,能夠為全球客戶(hù)提供從晶圓測試與分級、芯片封裝與測試,擁有數十條世界一流的全自動(dòng)化高速SMT生產(chǎn)線(xiàn)。
      東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區,目前主要從事動(dòng)態(tài)隨機儲存(DRAM)和閃存(FLASH)芯片封裝測試及工控產(chǎn)品與服務(wù)器制造。
      創(chuàng )興建設承接了記憶研發(fā)總部-2號研發(fā)樓/3號地下室項目之幕墻安裝工程,本項目位于松山湖金多港西一路東側,規劃用地面積為20000 ㎡,總建筑面積為27265.57 ㎡,其中 1 號研發(fā)樓建筑面積為9449.86 ㎡及地下室498.31 ㎡,2 號研發(fā)樓建筑面積7150.31 ㎡及地下室建筑面積10665.41㎡。
      Project profile
      工程概況

      項目地址: 廣東省東莞市松山湖金多港西一路東側

      承建范圍: 幕墻工程,包含玻璃幕墻、門(mén)工程,陶土板幕墻,填充墻,金屬飾面,吊頂及雨蓬系統、玻璃欄桿、金屬格柵、鋁錳鎂板輕型屋面等供應、制作、安裝所需的一切項目。

      承建面積: 17815.72 ㎡

      完成時(shí)間: 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

      工期時(shí)長(cháng): 120天

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